晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:3F
功耗:250mW
器件标记:BC857B
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV

• 额定功率：0.25 W

• 击穿电压(集电极-发射极)：45 V

• 最小电流放大倍数(hFE)：220

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-65 ℃

• 耗散功率(Max)：330 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 封装：SOT-23

• 长度：2.9 mm

• 宽度：1.3 mm

• 高度：1 mm

• 适用于自动对焦输入级和驱动器应用

• 高电流增益

• 低集电极-发射极饱和电压

• 30赫兹至15千赫兹之间的低噪声

• 互补型:BC847。-BC850(NPN)

• 无铅(符合RoHS)封装

• 符合AEC Q1011标准)