类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）：20nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：380 @ 2mA, 5V
功率 - 最大：350mW
频率 - 转换：125MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*