BSS84-7-F这款金属氧化物半导体场效应晶体管旨在最小化导通电阻(Ros(on))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

• 额定电压(DC)-50.0 V

• 额定电流：-130 mA

• 通道数：1

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：10 Ω

• 极性：P-Channel

• 耗散功率：300 mW

• 阈值电压：0.8 V

• 输入电容：45.0 pF

• 漏源极电压(Vds)：50 V

• 漏源击穿电压：50 V

• 栅源击穿电压：±20.0 V

• 连续漏极电流(Ids)：130 mA

• 输入电容(Ciss)：45pF @25V(Vds)

• 额定功率(Max)：300 mW

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：300 mW

• 长度：2.9 mm

• 宽度：1.3 mm

• 高度：1 mm

• 封装：SOT-23-3

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 低导通电阻

• 低栅极阈值电压

• 低输入电容

• 快速开关速度

• 低输入/输出泄漏

• 完全无铅且完全符合RoHS标准(注释1和2)

• 无卤素和锑。“绿色”装置(注释3)

• 符合AEC-Q101高可靠性标准