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首页> IC百科 > BZX84B8V2LT1G

BZX84B8V2LT1G

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BZX84B8V2LT1G中文资料规格参数

BZX84B8V2LT1G概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.040
齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200
齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.360
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):15
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:T16
封装/温度(℃):SOT-23/-65~150

BZX84B8V2LT1G数据手册

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深圳市明鑫锦业科技有限公司
9000
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深圳市信芯科创半导体有限公司
2460
ONSEMI/安森美
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香港
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9000
ONSEMI/安森美
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SOT-23
现货低价出
深圳
北京永创新电子科技有限公司
15000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-23-3
原装正品
北京
武汉力源信息技术股份有限公司
11460
ONSEMI/安森美
SOT-23-3

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