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BZX84C10ET1G

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BZX84C10ET1G中文资料规格参数

BZX84C10ET1G概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.400
齐纳击穿电压Vz典型值(V):10
齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.600
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):20
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:BB8
封装/温度(℃):SOT-23/-65~150

BZX84C10ET1G推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市源盛发电子有限公司
86666
ONSEMI/安森美
24+
SOT23
■现货大量发货■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
深圳
深圳市未来芯电子有限公司
188000
RC
2025+
SOT-23
RC原装正品稳定供应欢迎加Q来电洽谈
深圳
西安比川电子科技有限责任公司
40000
ONSEMI/安森美
24+
SOT-23
原装找我就对了.不忘初心
西安
深圳市志睿达科技有限公司
112000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-23
原装现货实单价优样品可出
深圳
深圳市新鸿微电子科技有限公司
18000
ONSEMI/安森美
24+
SOT-23
原装现货，可供更多，可拆样品，可开税票
深圳

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