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首页> IC百科 > BZX84C13LT1

BZX84C13LT1

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BZX84C13LT1中文资料规格参数

BZX84C13LT1概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.400
齐纳击穿电压Vz典型值(V):13
齐纳击穿电压Vz最大值(V):14.100
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):30
最大功率PMax(W):0.230
芯片标识:Y3
封装/温度(℃):SOT-23/-65~150

BZX84C13LT1推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市七八九电子有限公司
2950
ONSEMI/安森美
05+
SOT23
原装，深圳现货
DERF ELECTRONICS CORP.
2635
UNKNOWN
0415
只挂自己库存，纽约仓，原装正品
深圳市矽灵斯电子有限公司
12620
ONSEMI/安森美
20+21+
全新原装1-2周
香港
深圳市福田区新兴达电子商行
12000
ONSEMI/安森美
05+
13V
只做原装假一罚十
汕头
深圳市福田区佳裕源电子商行
3000
OMN
04+
SOT-23
现货/部分发货

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