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BZX84C3V9LT1

浏览次数:419次

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BZX84C3V9LT1中文资料规格参数

BZX84C3V9LT1概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.700
齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.900
齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.100
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):90
最大功率PMax(W):0.230
芯片标识:Z16
封装/温度(℃):SOT-23/-65~150

BZX84C3V9LT1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA)半导体(技术参数)
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
27000
ONSEMI/安森美
0427+
SOT-23
全新原装房间现货热卖供应
3000
20+
105000
ONSEMI/安森美
9403+
3.9V
330000
ONSEMI/安森美
07+
SOT-23
现货库存
3000
ONSEMI/安森美
0323+
SOT-23
原装现货假一赔十价格可谈

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