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CSD86330Q3D

浏览次数:136次 更新时间:2020-12-10 02:24

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概述

制造商:TexasInstruments
产品种类:MOSFET及电源驱动器IC
RoHS:是
产品:Half-BridgeDrivers
类型:SynchronousBuckNexFETPowerBlock
上升时间:7.5ns
下降时间:1.9ns
电源电压(最大值):8V
电源电压(最小值):4.5V
电源电流:10uA
最大功率耗散:6W
最大工作温度:-40C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SON3mmx3mm
封装:Reel
最小工作温度:+125C
激励器数量:2

特性

  • 半桥电源块

  • 15 A时90%系统效率

  • 高达20 A的操作

  • 高频操作(高达1.5 MHz)

  • 高密度– SON 3.3 mm×3.3 mm尺寸

  • 针对5 V栅极驱动进行了优化

  • 低开关损耗

  • 超低电感封装

  • 符合RoHS

  • 无卤素

  • 无铅端子电镀

参数

制造商包装说明

SON-8

符合欧盟RoHS

状态

活性

接口IC类型

基于缓冲或逆变器的MOSFET驱动器

高端驱动器

没有

输入特性

标准

JESD-30代码

S-PDSO-N8

JESD-609代码

e3

功能数量

1个

端子数

8

最低工作温度

-55℃

最高工作温度

150℃

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装代码

HTSON

包装形状

广场

包装形式

小轮廓,散热片/塞子,薄型

峰值回流温度(℃)

260

资格状态

不合格

座高

1.5毫米

电源电压标称

12.0伏

最大电源电压

22.0伏

功率-最大

6瓦

场效应管类型

2个N通道(半桥)

场效应管功能

逻辑电平门

安装类型

表面贴装

温度等级

军事

终端完成

磨砂锡(Sn)

终端表格

无铅

端子间距

0.65毫米

终端位置

时间@峰值回流温度-最大(秒)

未标明

长度

3.3毫米

宽度

3.3毫米

引脚图与功能

暂无CSD86330Q3D的引脚图与功能信息

工作原理

暂无CSD86330Q3D的工作原理信息

替代产品

暂无CSD86330Q3D的替代产品信息

PDF资料

厂商 PDF简要描述 下载
Texas Instruments PDF
TI 产品型号CSD86330Q3D描述场效应管2N-CH 25V 20A 8SON分类分立半导体产品,晶体管-FET,MOSFET-阵列制造商德州仪器系列NexFET?零件状态活性<td style="border-width: 1px; border-st PDF

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