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半桥电源块
15 A时90%系统效率
高达20 A的操作
高频操作(高达1.5 MHz)
高密度– SON 3.3 mm×3.3 mm尺寸
针对5 V栅极驱动进行了优化
低开关损耗
超低电感封装
符合RoHS
无卤素
无铅端子电镀
制造商包装说明 | SON-8 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
接口IC类型 | 基于缓冲或逆变器的MOSFET驱动器 |
高端驱动器 | 没有 |
输入特性 | 标准 |
JESD-30代码 | S-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
功能数量 | 1个 |
端子数 | 8 |
最低工作温度 | -55℃ |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | HTSON |
包装形状 | 广场 |
包装形式 | 小轮廓，散热片/塞子，薄型 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 1.5毫米 |
电源电压标称 | 12.0伏 |
最大电源电压 | 22.0伏 |
功率-最大 | 6瓦 |
场效应管类型 | 2个N通道(半桥) |
场效应管功能 | 逻辑电平门 |
安装类型 | 表面贴装 |
温度等级 | 军事 |
终端完成 | 磨砂锡(Sn) |
终端表格 | 无铅 |
端子间距 | 0.65毫米 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度-最大(秒) | 未标明 |
长度 | 3.3毫米 |
宽度 | 3.3毫米 |
| 厂商 | PDF简要描述 | 下载 |
|---|---|---|
| TI | 产品型号CSD86330Q3D描述场效应管2N-CH 25V 20A 8SON分类分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-阵列制造商德州仪器系列NexFET?零件状态活性工作温度-55°C?150°C(TJ)包装/箱8电源LDFN供应商设备包装8-LSON(3.3x3.3)基本零件号CSD86330 | |
| Texas Instruments |
| 供应商 | 数量 | 厂商 | 批号 | 封装 | 交易说明 | 仓库 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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