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EMZ1DXV6T5G

浏览次数:73次

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EMZ1DXV6T5G中文资料规格参数

EMZ1DXV6T5G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
晶体管类型:NPN, PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA, 6V
功率 - 最大:500mW
频率 - 转换:180MHz, 140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563, SOT-6
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-563
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
81000
ONSEMI/安森美
22+
SOT-563
原装现货实单TP可谈
深圳
563000
NK/南科功率
2025+520
SOT-563
-品质为根--服务为本-南科功率致力国产替代
深圳
360000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-563
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
深圳
360000
ONSEMI/安森美
2025+
SOT-563
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
深圳
183903
ONSEMI/安森美
海外现货8-15天货期
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