FDC6036P概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
系列:PowerTrench®
FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:44 毫欧 @ 5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :992pF @ 10V
功率 - 最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
其它名称:FDC6036PTRFDC6036P_NLFDC6036P_NLTRFDC6036P_NLTR-ND