FDC6432SH概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
系列:PowerTrench®
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 2.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V, 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.4A, 2.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.5nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :270pF @ 15V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SSOT, SuperSOT-6
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*