FDN338P的P沟道2.5V指定MOSFET采用飞兆半导体先进的低压电源沟道工艺。它已针对电池电源管理应用进行了优化。

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：0.13 Ω

• 耗散功率：500 mW

• 阈值电压：800 mV

• 漏源极电压(Vds)：20 V

• 上升时间：11 ns

• 正向电压(Max)：1.2 V

• 输入电容(Ciss)：451pF @10V(Vds)

• 额定功率(Max)：460 mW

• 下降时间：6.5 ns

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min：)-55 ℃

• 耗散功率(Max)：500 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 封装：SOT-23-3

• 长度：2.92 mm

• 宽度：1.4 mm

• 高度：0.94 mm

快速开关速度

针对极低RoxoNm的高性能沟槽技术

SuperSOTTlM-3在相同的占地面积内提供了低Rosow和比SOT23高30%的功率处理能力