FDP7030L概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PowerTrench®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:33nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2440pF @ 15V
功率 - 最大:68W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*