MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC  表面贴装型 N 通道 3A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC

额定电压(DC)：200 V

额定电流：3.00 A

通道数：1

漏源极电阻：128 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：3 W

漏源极电压(Vds)：200 V

漏源击穿电压：200 V

栅源击穿电压：±20.0 V

连续漏极电流(Ids)：3.00 A

上升时间：5 ns

输入电容(Ciss)：1292pF @100V(Vds)

额定功率(Max)：1.8 W

下降时间：23 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：55 ℃

耗散功率(Max)：3W (Ta)

安装方式：Surface Mount

引脚数：8

封装：SOIC-8

长度：4.9 mm

宽度：3.9 mm

高度：1.75 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)