类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫欧 @ 15.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：15.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2819pF @ 20V
功率 - 最大：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽），8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS4070N7TRFDS4070N7_NLFDS4070N7_NLTRFDS4070N7_NLTR-ND

额定电压(DC)：40.0 V

额定电流：15.3 A

漏源极电阻：7.00 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：3 W

漏源极电压(Vds)：40 V

漏源击穿电压：40.0 V

栅源击穿电压：±20.0 V

连续漏极电流(Ids)：15.3 A

上升时间：12 ns

输入电容(Ciss)：2819pF @20V(Vds)

额定功率(Max)：3 W

下降时间：29 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：3W (Ta)

引脚数：8

封装：SOIC-8

长度：4.9 mm

宽度：3.9 mm

高度：1.75 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)