MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC  表面贴装型 N 通道  3.13W

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：PowerTrench®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

额定电压(DC)：30.0 V

额定电流：16.0 A

通道数：1

漏源极电阻：8 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：3 W

漏源极电压(Vds)：30 V

漏源击穿电压：30 V

栅源击穿电压：±16.0 V

连续漏极电流(Ids)：16.0 A

上升时间：20 ns

输入电容(Ciss)：2800pF @15V(Vds)

额定功率(Max)：1.5 W

下降时间：18 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：55 ℃

耗散功率(Max)：3.13W (Ta)

安装方式：Surface Mount

引脚数：8

长度：4.9 mm

宽度：3.9 mm

高度：1.75 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2800pF @ 15V

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）裸露焊盘，8-eSOIC. 8-HSOIC

• 16 A、30 V RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V

• 用于极低 RDS(ON) 的高性能沟槽技术 ? MOSFET 和肖特基之间无电感

• 体二极管正向电压降低 40%

• 经过优化以减少同步降压稳压器的损耗

• FLMP SO-8 封装，用于增强热性能。