FDS7066ASN3设计用于取代同步DC:DC电源中的单个SO-8FLMP MOSFET和肖特基二极管。此30V MOSFET设计用于最大化功率转换效率，提供低RDS（ON）和低栅极电荷。FDS7066ASN3包括使用Fairchild单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。FDS7066ASN3作为同步整流器中的低压侧开关的性能接近与肖特基二极管并联的FDS7066 N3的性能。

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.8 毫欧 @ 19A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：19A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：62nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2460pF @ 15V

额定电压(DC)：30.0 V

额定电流：19.0 A

通道数：1

漏源极电阻：4.8 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：3 W

漏源极电压(Vds)：30 V

漏源击穿电压：30 V

栅源击穿电压：±20.0 V

连续漏极电流(Ids)：19.0 A

上升时间：12 ns

输入电容(Ciss)：2460pF @15V(Vds)

额定功率(Max)：1.7 W

下降时间：28 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：55 ℃

耗散功率(Max)：3W (Ta)

长度：4.9 mm

宽度：3.9 mm

高度：1.75 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)

功率 - 最大：1.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽），8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS7066ASN3TRFDS7066ASN3_NLFDS7066ASN3_NLTRFDS7066ASN3_NLTR-ND