类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 毫欧 @ 100A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：160A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：-
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS-DIL™
包装：管件
供应商设备封装：ISOPLUS-DIL™