英飞凌的OptiMOSTM功率MOSFET采用TO-无铅封装，针对高达300 A的大电流应用进行了优化，例如叉车、轻型电动汽车(LEV)、电动工具、负载点(POL)、电信和电子保险丝。

此外，60%的小封装尺寸实现了非常紧凑的设计。与D2PAK 7引脚相比，TO-无铅封装的尺寸大幅减少了30%。高度降低50%在狭窄的应用中具有显著优势，例如机架式或刀片式服务器。

• 极性：N-CH

• 耗散功率：375 W

• 漏源极电压(Vds)：100 V

• 连续漏极电流(Ids)：300A

• 上升时间：30 ns

• 输入电容(Ciss)：12000pF @50V(Vds)

• 下降时间：30 ns

• 工作温度(Max)：175 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：375000 mW

• 引脚数：8

• 封装：TO-Leadless

• 非常适合高频开关和sync.rec。

• 出色的栅极电荷x Roston)产品(FOM)

• 极低导通电阻Ros(on) 

• N沟道，正常水平

• 100%雪崩测试

• 无铅电镀；符合RoHS标准

• 根据JEDEC1认证

• 适用于目标应用

• 根据IEC61249-2-21标准无卤素