类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：175 毫欧 @ 7.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：350pF @ 25V
功率 - 最大：3.8W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3（直引线）
包装：管件
供应商设备封装：TO-262
其它名称：*IRF9Z24NLPBF