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首页> IC百科 > IRFD120

IRFD120

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IRFD120中文资料规格参数

IRFD120概述

制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：否
配置：SingleDualDrain
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：1.3A
功率耗散：1300mW
最大工作温度：+175C
安装风格：ThroughHole
封装/箱体：HexDIP-4
封装：Tube
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：2500

IRFD120数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
VISHAY
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IRFD120推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
北京豪兴顺达科技有限公司
5000
INFINEON/英飞凌
09+
DIP4
深圳市创盛电子科技有限公司
20
IR
05+
DIP
原装现货实单请报接受价
深圳市祥鋆（yun）科技有限公司
10000
INFINEON/英飞凌
TO92
原装正品
深圳市福田区和兴茗电子商行
59
INFINEON/英飞凌
22+
DIP-4
原装现货热卖
深圳
深圳市福田区鑫顺嘉业电子商行
31288
INFINEON/英飞凌
23+
TO-223
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