类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.6 毫欧 @ 180A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：195A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：540nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：19860pF @ 50V
功率 - 最大：520W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3 （直引线）, TO-247AC
包装：管件
供应商设备封装：TO-247AC