类别：半导体模块
家庭：MOSFETs
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.4 毫欧 @ 100A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：280A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：580nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：19000pF @ 25V
功率 - 最大：700W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227, miniBLOC
包装：管件
供应商设备封装：*