类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.9 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2200pF @ 25V
功率 - 最大：180W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268
包装：管件
供应商设备封装：*