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IXFV110N10PS

浏览次数:216次

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IXFV110N10PS中文资料规格参数

IXFV110N10PS概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PolarHT™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:110nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3550pF @ 25V
功率 - 最大:480W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PLUS-220SMD
包装:散装
供应商设备封装:*

IXFV110N10PS数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
PolarHT HiPerFET Power MOSFETPolarHT HiPerFET功率MOSFET
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
21368
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS220SMD
专业三极管全系列价格优惠
汕头
200000
国产
2025+
PLUS-220SMD
专业场效应管可控硅量大可谈
深圳
10800
IXYS/艾赛斯
24+
原装现货
深圳
13819
IXYS/艾赛斯
22+
PLUS220SMD
房间现货,价格优势
深圳

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