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IXFV30N60PS

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IXFV30N60PS中文资料规格参数

IXFV30N60PS概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PolarHV™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:240 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:30A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:82nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4000pF @ 25V
功率 - 最大:500W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PLUS-220SMD
包装:管件
供应商设备封装:*
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
21368
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