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首页> IC百科 > IXGT20N60BD1

IXGT20N60BD1

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IXGT20N60BD1中文资料规格参数

IXGT20N60BD1概述

类别：分离式半导体产品
家庭：IGBT - 单路
系列：HiPerFAST™
IGBT 类型：-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）：2V @ 15V, 20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：40A
功率 - 最大：150W
输入类型：标准型
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268
包装：管件
供应商设备封装：*

IXGT20N60BD1推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市荣佳盛电子商行（个体）
21368
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
专业三极管全系列价格优惠
汕头
深圳市楚胜电子有限公司
13819
IXYS/艾赛斯
22+
TO-268
房间现货，价格优势
深圳
深圳市成兴发电子有限公司
1980
IXYS/艾赛斯
21+
TO-268
散新原字原脚
无锡固电半导体股份有限公司
3000
ISC/无锡固电
26+
D3PAKTO-268
厂家现货直销，替代原装
无锡
宏芯电子经营部（个体）
5000
进口
16+
TO-220+TO-247+TO-3P+
只做原装，现货价格优势，长期供应075484485

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