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首页> IC百科 > IXGX32N170AH1

IXGX32N170AH1

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IXGX32N170AH1中文资料规格参数

IXGX32N170AH1概述

制造商: IXYS
封装 / 箱体: PLUS247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 5 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 32 A
封装: Box
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C

IXGX32N170AH1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
IXYS
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Advance Technical Information High Voltage IGBT with Diode推进信息技术高电压IGBT与二极管
 PDF

IXGX32N170AH1推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市旭昇格纳电子有限公司
1500
IXYS/艾赛斯
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只做原装 只有原装 支持实单
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21368
IXYS/艾赛斯
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专业三极管全系列价格优惠
汕头
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IXGX32N170AH1推广供应商 更多

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