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首页> IC百科 > M29DW640D70N6E

M29DW640D70N6E

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M29DW640D70N6E中文资料规格参数

M29DW640D70N6E概述

位密度:64M
结构:4Mbx16, 8Mbx8
工作电压(V):2.7~3.6
静态电流(uA):100
读取时间(ns):70
扇区擦除时间(ms):-
字编程时间(us):-
编程电流(mA):-
擦除电流(mA):-
封装/温度(℃):TSOP48/ -40~85

M29DW640D70N6E数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS
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