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首页> IC百科 > MBRD1035CTLT4

MBRD1035CTLT4

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MBRD1035CTLT4中文资料规格参数

MBRD1035CTLT4概述

反向重复峰值电压VRRM(max)(V):35
平均整流器前向电流IO(max)(A):10
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.49@10A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):100
瞬间反转电流IR(max)(mA):130@125℃
封装/温度(℃):3DPAK/-55~125

MBRD1035CTLT4推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市福田区新亚洲电子市场锦州电子商行
22500
ONSEMI/安森美
08+
深圳市星光盛科技有限公司
15000
ONSEMI/安森美
22+
DPAK4LEA
台产原装全系列MOS管可控硅肖特基可出特供
深圳
深圳市龙源达电子商行（个体）
43000
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
长期有货且质量保证
深圳市隆泰源科技发展有限公司
21590
ONSEMI/安森美
2023+
TO-252D-PAK
原装现货，可提供样品
深圳
汕头市潮南区陈店英特电子商行
2085
ONSEMI/安森美
2000
TO252

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