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首页> IC百科 > MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G

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型号 品牌 参考价格
MGSF1N03LT1G
ONSEMI/安森美
￥0.424

MGSF1N03LT1G中文资料规格参数

MGSF1N03LT1G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145
最大漏极电流Id(on)(A):2.100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET

MGSF1N03LT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
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MGSF1N03LT1G推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
北京豪兴顺达科技有限公司
3000
ONSEMI/安森美
19+
SOT-23
北京
深圳市佳芯恒业科技有限公司
66000
ONSEMI/安森美
2437
全新原装,渠道现货
深圳智睿捷科技有限公司
15000
PLINGSEMIC/鹏领
25+
SOT23
台产原ON丝印
深圳
深圳市东晓微电子科技有限公司
36
ONSEMI/安森美
1615+
SOT23
全新原装优势库存
深圳
深圳市雪域科技电子有限公司
68368
ONSEMICONDUCTOR
23+

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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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