类别：半导体模块
家庭：IGBTs
系列：-
IGBT 类型：沟道
配置：三相反相器，带制动器
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.2V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：30A
电流 - 集电极截止（最大）：600µA
Vce 时的输入电容 (Cies)：1.1nF @ 25V
功率 - 最大：120W
输入：三相桥式整流器
NTC 热敏电阻：是
安装类型：底座安装
封装/外壳：MiniPack2
供应商设备封装：*