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首页> IC百科 > MJD253T4G

MJD253T4G

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MJD253T4G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
MJD253T4G
ONSEMI/安森美
￥0.753

MJD253T4G中文资料规格参数

MJD253T4G概述

类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):4
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE最大值(dB):180
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40
总功耗PD(W):12.500
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150

MJD253T4G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
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MJD253T4G推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市星光盛科技有限公司
15000
ONSEMI/安森美
22+
DPAK
台产原装全系列MOS管可控硅肖特基可出特供
深圳
深圳市泰诚迪电子经营部（个体）
3868000
ONSEMI/安森美
24+PB
252-251
原装现货稳定供货,产品一律保上机
深圳
深圳市福田区鑫顺嘉业电子商行
31288
ONSEMI/安森美
23+
DPAK
只做自家库存/包上机 价格优势欢迎来电咨询
深圳市长兴烽科技有限公司
5000
ONSEMI/安森美
SOT252
现货库存品质保证
深圳
深圳市中盈通顺科技有限公司
1400
TXSL
现货保证原装假一赔百

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