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首页> IC百科 > MM3Z3V3TT1G

MM3Z3V3TT1G

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MM3Z3V3TT1G中文资料规格参数

MM3Z3V3TT1G概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.100
齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300
齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.500
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):95
最大功率PMax(W):0.200
芯片标识:5
封装/温度(℃):SOD323/-65~150

MM3Z3V3TT1G推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市金华信电子有限公司
15000
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOD-323
大量供货
深圳
武汉力源信息技术股份有限公司
1667
ONSEMI/安森美
SOD-323-2
深圳市尚想信息技术有限公司
3000
3000
24+
深圳市佛通科技有限公司
1676
ONSEMI/安森美
22+
*
本公司诚信经营保证原装进口一周左右货期假
香港
深圳市源星微科技有限公司
1667
ONSEMI/安森美
0639
武汉力源深圳专卖店只做原装正品欢迎来电

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