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MMBF170LT3G

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MMBF170LT3G中文资料规格参数

MMBF170LT3G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):－
最大漏极电流Id(on)(A):0.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市金华信电子有限公司
15000
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOT-23
大量供货
深圳
深圳市远东国际电子有限公司
360000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-23
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
深圳
深圳市福田区彬盛电子经营部（个体）
83500
ONSEMI/安森美
2436+
ETSOT23
原装无铅进口现货
深圳
深圳市威盛达科技有限公司
100
ST/意法
607
TO23-3
全新原装特价现货
深圳
深圳市福田區新亞洲電子市場二期新利匯電子商行
1566
NAMAE/韩国南涯
保证进口只做原装

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