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型号 | 品牌 | 参考价格 |
---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
¥0.0736 |
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40
集电极最大电流Ic(max)(mA):600
直流电流增益hFE最小值(dB):100
直流电流增益hFE最大值(dB):300
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200
封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
频率:200 MHz
额定电压(DC):-40.0 V
额定电流:-600 mA
额定功率:225 mW
针脚数:3
极性:PNP
耗散功率:225 mW
击穿电压(集电极-发射极):40 V
集电极最大允许电流:0.6A
最小电流放大倍数(hFE):100 @150mA, 2V
额定功率(Max):300 mW
直流电流增益(hFE):200
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):300 mW
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:SOT-23-3
长度:2.9 mm
宽度:1.3 mm
高度:0.94 mm
适用于要求独特的现场和控制变更要求的汽车和其他应用的前缀;AEC-Q101合格且支持PPAP
这些器件无铅、无卤素/无BFR,符合RoHS标准
厂商 | PDF简要描述 | 下载 |
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ON Semiconductor |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
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