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首页> IC百科 > MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

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MMBT5551LT1G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
MMBT5551LT1G
ST/意法
￥0.0581

MMBT5551LT1G中文资料规格参数

MMBT5551LT1G概述

晶体管极性:NPN
电压, Vceo:160V
功耗, Pd:225mW
集电极直流电流:60mA
直流电流增益 hFE:80
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:225mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:80
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.15V

MMBT5551LT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
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