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MMBTH10-4LT1G

浏览次数:269次

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MMBTH10-4LT1G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ONSEMI/安森美
¥0.243

MMBTH10-4LT1G中文资料规格参数

MMBTH10-4LT1G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:RF 晶体管 (BJT)
系列:-
晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
频率 - 转换:800MHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:-
功率 - 最大:300mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 4mA, 10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-23
其它名称:MMBTH10-4LT1G-NDMMBTH10-4LT1GOSTR

MMBTH10-4LT1G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
30000
ONSEMI/安森美
22+
TO-23
实单价格优
深圳
5
ONSEMI/安森美
1415
武汉力源深圳专卖店只做原装正品欢迎来电
102000
ONSEMI/安森美
21+
SOT23
溢芯微原装正品,假一赔十
深圳
102000
ONSEMI/安森美
21+
SOT23
原装正品,假一赔十
深圳
3000
ONSEMI/安森美
23+
SOT-23
原装正品现货
深圳

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