MMBTH10LT1G中文资料PDF_MMBTH10LT1G芯片概述/特性/原理及引脚图等信息

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MMBTH10LT1G

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型号	品牌	参考价格
MMBTH10LT1G	ONSEMI/安森美	￥0.251

MMBTH10LT1G中文资料规格参数

MMBTH10LT1G概述

类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):25
集电极最大电流IC(Max) (mA):-
直流电流增益hFE最小值(dB):-
直流电流增益hFE最大值(dB):240
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):-
电容pF(Max):3SOT-23/-55~150
封装/温度(℃):

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厂商	PDF简要描述	下载
ON Semiconductor		PDF

MMBTH10LT1G推荐供应商

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供应商	数量	厂商	批号	封装	交易说明	仓库
深圳市海虹微电子有限公司	15300	ONSEMI/安森美	2018+	23	保证每一颗料都是原装正品通过ROHS认证	深圳
深圳市勤发伟业电子有限公司	258000	台产	23+	SOT-23	房间现货可提供样品	深圳
深圳市中盈通顺科技有限公司	366	ONSEMI/安森美			现货保证原装假一赔百
深圳市福田区华泰森电子经营部	65	ONSEMI/安森美	06+	SOT-23	全新进口门市原装现货可看货假一赔十全网最	深圳
深圳市达信恒业电子有限公司	10000	ONSEMI/安森美	2021+		原厂代理订货渠道	玉林

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供应商	型号	品牌	批号	封装	交易说明

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