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NTHD3100CT3G

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NTHD3100CT3G中文资料规格参数

NTHD3100CT3G概述

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶体管极性:NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.077Ohms/0.085Ohms
正向跨导gFS(最大值/最小值):6S,8S
汲极/源极击穿电压:20V,-20V
闸/源击穿电压:+/-12V,+/-8V
漏极连续电流:3.9A,-4.4A
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:ChipFET-8
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:10000
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
45000
ONSEMI/安森美
14+
CHIPFET
11月份更新现货库存可长期供应
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