-20V，-9.5A，uCOOLP沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管

P信道20V 3.5A（Ta）700mW（Ta）表面安装6-WDFN（2x2）

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25nC：40 毫欧 @ 3A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25nC：3.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：15.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1329pF @ 16V
功率 - 最大：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VDFN
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：6-TDFN
其它名称：NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR

• WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导

• 2x2 mm的占地面积与SC相同?88封装

• 2x2 mm封装中的最低RDS（开启）解决方案

• 1.5 V RDS（打开）额定值，可在低压逻辑电平GateDrive下运行

• 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装

• 这些设备为铅?无卤素/无BFR，符合RoHS