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首页> IC百科 > NTP35N15

NTP35N15

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NTP35N15中文资料规格参数

NTP35N15概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):150
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@10V
最大漏极电流Id(on)(A):37
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150
描述:52A,30V功率MOSFET

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深圳市星光盛科技有限公司
15000
ONSEMI/安森美
22+
TO-2203L
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深圳市顺星盛科技有限公司
65000
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深圳市源美信达电子有限公司
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0430+
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深圳市宏昇泰电子有限公司
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深圳市煜荣伟业科技有限公司
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