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PD85025STR-E

浏览次数:109次

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PD85025STR-E中文资料规格参数

PD85025STR-E概述

制造商:STMicroelectronics
产品种类:RFMOSFET功率
RoHS:是
配置:Single
汲极/源极击穿电压:40V
闸/源击穿电压:-0.5V,+15V
漏极连续电流:7A
功率耗散:79W
最大工作温度:+165C
封装/箱体:PowerSO-10RF-2
封装:Reel
最小工作温度:-65C
安装风格:SMD/SMT
产品类型:MOSFETPower
StandardPackQty:600
晶体管极性:N-Channel

PD85025STR-E数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
10000
ST/意法
24+
N
原装现货
1000
ST/意法
24+
N
原装订货价格优势

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