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QRB1113_Q

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QRB1113_Q中文资料规格参数

QRB1113_Q概述

制造商:FairchildSemiconductor
RoHS:否
感应方式:Reflective
输出集电极/发射极电压(探测器):30V
最大反向电压(发射极):5V
最大集电极电流(探测器):20mA
输出设备:Phototransistor
功率耗散:100mW
封装:Bulk
最大下降时间:8us
最大工作温度:+85C
最大上升时间:8us
最小工作温度:-40C
波长:940nm

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