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首页> IC百科 > SI2319DS-T1

SI2319DS-T1

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SI2319DS-T1中文资料规格参数

SI2319DS-T1概述

制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：40V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：2.3A
功率耗散：750mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：TO-236-3
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

SI2319DS-T1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
VISHAY
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SI2319DS-T1推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市隆泰源科技发展有限公司
31300
SI
2023+
SOT-23
原装现货，可提供样品
深圳
深圳市恒嘉源电子有限公司
108220
VISHAY/威世
0520+
SOT-23
回收原装贴片IC.二三极管
深圳市芯天空科技有限公司
4071
VISHAY/威世
04+
深圳市嘉裕楷电子有限公司
1048
VISHAY/威世
20+
SOT23-3
只做正品原装现货 实单请报接受价
深圳
深圳市深仪芯科技有限公司销售三部
2806
VISHAY/威世
2122+
进口原装优势库存

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