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首页> IC百科 > SI4435BDY-T1-GE3

SI4435BDY-T1-GE3

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SI4435BDY-T1-GE3中文资料规格参数

SI4435BDY-T1-GE3概述

制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：7A
功率耗散：1500mW
最大工作温度：+150C
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：2500

SI4435BDY-T1-GE3推荐供应商

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