STBV42G概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 250mA, 750mA
电流 - 集电极截止(最大):1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 400mA, 5V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:盒
供应商设备封装:*
其它名称:497-8888