STV160NF03LAT4代表第二代专用STMicroelectronics成熟的STripFET? 该工艺基于非常独特的带材布局设计。结果MOSFET显示出无与伦比的高封装密度、超低导通电阻和优异的开关特性。工艺简化也转化为提高制造再现性。该装置特别适用于效率至关重要的高电流、低电压开关应用。

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25℃：3 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：160A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5350pF @ 25V
功率 - 最大：210W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerSO-10
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*

• 典型RDS（开）=0.0021?

• 低阈值驱动

• 超低导通电阻

• 超快开关

• 100%雪崩测试

• 极低栅极电荷

• 低剖面、非常低寄生电感PowerSO-10封装