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首页> IC百科 > TPS1100DR

TPS1100DR

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TPS1100DR最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
TPS1100DR
TI/德州仪器
￥5.11

TPS1100DR中文资料规格参数

TPS1100DR概述

FET数:1
漏源电压(V):-15
持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.600
静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:单路P沟道增强方式MOSFET

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TI
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TPS1100DR推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市安森美电子有限公司
185000
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SOP-8
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深圳市永华达伟业电子商行
92
TI/德州仪器
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现货
深圳
深圳市智茂伟业电子有限公司
3766
TI/德州仪器
18+
SOP-8
专营厂家量大可定货
广州
深圳市一铭电子科技有限公司
148
TI/德州仪器
19+
SOP-8
专注原装正品现货找我没错
深圳
深圳市禾锐科技有限公司
5000
TI/德州仪器
1836+
SOP8

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