制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High and Low Side
上升时间: 350 ns (Typ)
下降时间: 300 ns (Typ)
传播延迟时间: 50 ns
电源电压（最大值）: 17 V
电源电压（最小值）: 8 V
电源电流: 5.5 mA
最大功率耗散: 2700 mW
最大工作温度: + 140 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: SO-PowerPAD
封装: Reel
桥式: Full Bridge or Half Bridge
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 2
输出端数量: 2
输出电流: 3 A (Typ)